1 引言
纳米压印技术因低成本、高 throughput、高分辨率的优势，成为微纳光栅制备的核心工艺，广泛应用于光学显示、光通信、太阳能电池等领域。光栅图形的线宽、周期、深度、侧壁倾角及表面粗糙度等形貌参数，直接决定其光学衍射效率、偏振特性等核心性能，需实现纳米级精度的全面表征。3D白光干涉仪凭借非接触测量、纳米级分辨率及全域三维形貌重建能力，可精准捕捉光栅微观形貌特征，为纳米压印光栅的工艺优化与质量管控提供可靠技术支撑。本文重点探讨3D白光干涉仪在纳米压印光栅图形形貌测量中的应用。
2 3D白光干涉仪测量原理
3D白光干涉仪以宽光谱白光为光源，经分束器分为参考光与物光两路。参考光射向固定参考镜反射，物光照射至待测纳米压印光栅表面后反射，两束反射光汇交产生干涉条纹。由于白光相干长度极短（仅数微米），仅在光程差接近零时形成清晰干涉条纹。通过压电驱动装置带动参考镜精密扫描，探测器同步记录干涉条纹强度变化，形成干涉信号包络曲线，曲线峰值位置对应光栅表面高度坐标。结合像素级高度计算与二维图像拼接技术，可快速重建光栅区域三维轮廓，实现对线宽、周期、深度、侧壁倾角等关键形貌参数的精准测量，垂直分辨率可达亚纳米级，适配光栅微观形貌的检测需求。
3 3D白光干涉仪在纳米压印光栅测量中的应用
3.1 关键形貌参数测量
纳米压印光栅的核心形貌参数包括周期、线宽、深度及侧壁倾角，3D白光干涉仪可实现全参数精准量化。对于周期500 nm、线宽250 nm的矩形光栅，通过三维轮廓重建可直接读取相邻光栅脊峰间距，获得周期测量精度±1 nm；基于高度阈值法划分光栅脊与槽区域，精准计算线宽尺寸，误差控制在5 nm以内。针对深宽比2:1的高深宽光栅，其深度测量不受侧壁遮挡影响，通过槽底与脊峰的高度差计算，测量误差≤3 nm；借助轮廓拟合算法可提取侧壁轮廓曲线，计算侧壁倾角，精度可达±0.5°，有效反映压印工艺的模板复刻精度。
3.2 表面缺陷与均匀性检测
纳米压印过程中易产生光栅脊顶塌陷、槽底残留、边缘毛刺等缺陷，且大面积光栅易存在形貌均匀性差异，这些均会显著影响光学性能。3D白光干涉仪的全域扫描能力可实现大面积光栅的形貌成像，通过表面粗糙度分析模块，可量化光栅脊顶与槽底的粗糙度（Ra），当Ra超过10 nm时，会导致衍射效率下降，需反馈调整压印压力与温度参数。同时，其可快速识别局部缺陷位置与尺寸，如检测到脊顶塌陷深度超过50 nm、边缘毛刺高度超过30 nm时，判定为不合格产品；通过不同区域的参数对比，可评估光栅形貌均匀性，为压印模板优化与工艺稳定性控制提供数据支撑。
4 测量优势与应用价值
相较于原子力显微镜（AFM）的点扫描模式，3D白光干涉仪具备更快的扫描速度（单次全域扫描时间≤5 s），可实现大面积光栅的高效检测；相较于扫描电子显微镜（SEM）的破坏性与二维表征局限，其非接触测量模式可避免损伤光栅表面，且能提供完整的三维形貌信息。通过为纳米压印光栅的制备工艺提供精准、全面的形貌量化数据，3D白光干涉仪可助力构建工艺参数优化闭环，提升光栅制备良率与性能稳定性，推动纳米压印技术在光学领域的产业化应用。
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实测验证硬核实力
1）硅片表面粗糙度检测：凭借优于 1nm 的超高分辨率，精准捕捉硅片表面微观起伏，实测粗糙度 Ra 值低至 0.7nm，为半导体制造品质把控提供可靠数据支撑。
（以上数据为新启航实测结果）
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审核编辑 黄宇
