工业级板载存储新选择:创世 SD NAND 实测

域垚达人 保险理财 2026-03-18 43218 0

目录

前言

一、初识SDNAND:工业级板载存储的专属选手

1.1SDNAND基本概念

1.2、芯片实物图及核心特点

1.3、内部原理图

二、核心参数与技术优势

2.1、核心规格

2.2自研控制器与Flash管理算法

2.2.1、自研控制器优势

2.2.2、四大Flash管理算法

2.3、与同类产品对比:稳省快的平衡之选

三、芯片实测表现

3.1、测试写入读回速度

3.2测试烧录代码功能

总结

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前言

近期很荣幸受到深圳市雷龙发展有限公司的邀请,尝试测评其代理的创世SDNAND存储芯片样品,他们给我邮寄了一颗128mbyte的SDNAND(CSNP1GCR01-AOW)以及一块转接板。

不得不说的是雷龙的效率非常高,博主当天交流完,立马就发了顺丰,第二天就到了,这波真是深圳速度的具象化了。

而且很贴心的帮我把芯片和转接板给焊好了,这波相当于开箱即食了。

深圳市雷龙发展有限公司是一家专注NANDFlash设计研发的公司

一、初识SDNAND:工业级板载存储的专属选手

1.1SDNAND基本概念

相信大家用的比较多的是TFSD卡,创世SDNAND可以理解为:贴片式TF卡、贴片式SD卡。这样大家应该对此产品有个简单的概念了。

大家可以把SDNAND简单的理解为把TF/SD卡做成了一个6*8mmLGA-8封装,可以机贴的存储芯片。

1.2、芯片实物图及核心特点

下面两张图是芯片的实物图:

128mbyte的SDNAND CSNP1GCR01-AOW

芯片正面图

芯片背面图

贴片焊接设计:LGA-8封装,直接焊接在PCB板上,无插拔损耗,抗震、抗干扰性拉满,适配工业设备的严苛环境;

尺寸小巧:仅6×8mm,比传统TF卡座+TF卡方案节省大量PCB空间,特别适合小型化手持设备、智能终端;

高集成度:自带坏块管理与Flash管理算法,无需编写驱动程序,标准SDIO接口兼容SPI/SD协议,直接移植标准驱动即可使用;

工业级寿命与稳定性:内置SLC晶圆擦写寿命可达10万次,通过1万次随机掉电测试,支持-40℃~+85℃宽温工作,远超消费级存储产品。

1.3、内部原理图

下图是芯片的内部原理图:

128mbyte的SDNAND CSNP1GCR01-AOW 内部原理图

接下来我便详细讲解一下这个原理图:

电源滤波:

VCC引脚(第8脚)接3.3V供电,搭配两颗滤波电容C1(104,即0.1μF)、C2(103,即0.01μF),官方推荐额外增加2.2μF电容进一步优化电源稳定性,适配工业环境的电源波动。

VSS引脚(第4脚)直接接地,完成电源回路。

时钟线设计:

CLK引脚(第3脚)串接33Ω电阻R2-A(官方推荐范围0~120Ω)

用于抑制信号反射、减少电磁干扰,保证高速时钟信号的完整性,避免传输误码。

上拉电阻设计:

CMD和DAT0~3线均需接10K~100KΩ上拉电阻(图中R3-A~R7-A),防止SDNAND进入高阻态时总线浮空,避免总线电平不确定导致的通信异常。

注意:即使仅使用1-bitSD模式,也必须对DAT0~3全部上拉,这是保证总线稳定的关键。

数据与命令线:

SDD0~SDD3(数据总线)、CMD(命令线)直接连接到主控的SDIO引脚,配合上拉电阻完成通信链路,无需额外驱动器件。

二、核心参数与技术优势

2.1、核心规格

2.2自研控制器与Flash管理算法

雷龙SDNAND的核心竞争力在于自研控制器+四大Flash管理算法

2.2.1、自研控制器优势

CS创世的SD NAND控制器优势介绍

2.2.2、四大Flash管理算法

产品内置了均衡磨损、坏块替换、掉电保护、数据校验四大核心算法,从底层保证了工业场景下的数据可靠性,这是普通消费级TF卡完全无法比拟的。如下图所示:

CS创世1Gbit SD NAND 四大FLASH管理算法

2.3、与同类产品对比:稳省快的平衡之选

雷龙SDNAND在工业存储选型中,完美填补了TF卡、RawNAND、eMMC之间的空白

创世SD NAND在工业存储选型中,与TF卡、RawNAND、eMMC之间对比维度

三、芯片实测表现

3.1、测试写入读回速度

下图就是雷龙给我邮寄的样品,可以看到128mbyte的SDNAND与转接板已经焊好了。

已焊接的贴片sd卡 128mbyte的SDNAND与转接板样品

使用方法如下,插入读卡器,再插入USB接口

已焊接的SD NAND插入读卡器,再插入USB接口

插入USB如下图所示:

已焊接的SD NAND样品已插到USB

可以看到电脑上一句多了个sd卡设备

SD NAND在PC端显示sd卡设备

写入一个109MB的文件,平均速度在4MB/s

CSNP1GCR01-AOW平均速度在4MB/s

再将其读回到电脑硬盘,读取平均速度可以达到20MB/s。

CSNP1GCR01-AOW读取平均速度可以达到20MB/s

3.2测试烧录代码功能

这里我们使用imx6ull开发板进行测试,首先咱们从ubuntu中把代码烧录进sd卡,还是插入读卡器,先用ls/dev/sd*查看地址。

SD NAND    这里我们使用imx6ull开发板进行测试,首先咱们从ubuntu中把代码烧录进sd卡,还是插入读卡器,先用ls/dev/sd*查看地址

我的是/dev/sdb。

再给予imxdownload可执行权限:

chmod777imxdownload

这里我们烧写led亮实验

烧写命令:

./imxdownloadledc.bin/dev/sdb

如下图所示:

创世SD NAND烧写led亮实验烧写命令:./imxdownloadledc.bin/dev/sdb

烧写成功,再把卡插入开发板,并使用SD卡启动。如下图所示:

CS 创世 SD NAND 烧写成功,再把卡插入开发板,并使用SD卡启动

最终开发板成功启动,LED正常点亮,证明SDNAND完全可以替代传统TF卡作为系统启动介质,兼容性拉满。

总结

通过本次实测,我对创世SDNAND(CSNP1GCR01-AOW)的整体表现非常满意,对于嵌入式开发者来说,如果你正在为工业项目寻找一款稳定、小巧、易用、成本可控的板载存储方案,又不想被TF卡座的可靠性问题困扰,那么这款创世SDNAND绝对值得一试。它不仅能缩小产品体积、提升设备稳定性,还能大幅降低开发与维护成本,是工业存储领域的优质新选择。