原标题:龙图光罩:关于深圳市龙图光罩股份有限公司向特定对象发行股票申请文件的审核问询函的回复报告
二〇二六年五月
上海证券交易所：
根据贵所《关于深圳市龙图光罩股份有限公司向特定对象发行股票申请文件的审核问询函》（上证科审（再融资）〔2026〕75号）（以下简称“审核问询函”）要求，深圳市龙图光罩股份有限公司（以下简称“公司”、“龙图光罩”或“发行人”）会同国泰海通证券股份有限公司（以下简称“保荐机构”）及中兴华会计师事务所（特殊普通合伙）（以下简称“会计师”、“申报会计师”）等中介机构，按照贵所的要求对审核问询中提出的问题进行了认真研究，现逐条进行说明，请予审核。
说明：
一、如无特别说明，本回复报告中的简称或名词释义与募集说明书中的相同。
二、本回复报告中的字体代表以下含义：
三、本问询函回复部分表格中单项数据加总数与表格合计数可能存在微小差异，系为四舍五入所致。
目录
问题1.关于募投项目和融资规模...............................................................................3
问题2.关于经营情况.................................................................................................74
保荐机构总体意见.....................................................................................................91
问题1.关于募投项目和融资规模
根据申报材料：（1）本次募集资金不超过 146,000.00万元,将全部投入于40nm-28nm半导体掩模版生产线建设项目；（2）本次募投项目建成达产后，公司将新增 15,000片半导体掩模版，除现有的二元掩模版和相移掩模版外，增加更高制程的 KrF-PSM、ArF-PSM以及 OMOG掩模版产品；（3）公司前次募投项目为高端半导体芯片掩模版制造基地项目和高端半导体芯片掩模版研发中心项目。
请发行人说明：（1）本募与前募“高端半导体芯片掩模版制造基地项目”的区别与联系，是否存在共用土地、房屋、产线、设备等情况，能否明确区分，本募实施是否以前募“高端半导体芯片掩模版研发中心项目”研发结果为基础，结合行业发展趋势、前募产能利用和效益实现情况、公司PSM及OMOG类产品现有收入等说明本募项目实施的必要性，本次募集资金是否符合投向主业相关要求；（2）结合本募产品相关技术和人员储备、开发进展、研发难点攻克及保障情况、客户认证情况、历史研发成果转化情况、主要原材料及生产设备供应的稳定性、前募结项进度等，说明本次募投项目实施是否存在重大不确定性；（3）本募不同规格产品规划产能、市场需求、竞争格局、可比公司扩产情况、竞争优劣势、客户储备、在手及意向订单等，说明本次募投项目产能规划的合理性以及相应的产能消化措施；（4）本次募投项目各项投资构成情况、测算过程及测算依据，相关测算依据与发行人和同行业公司可比项目的对比情况，是否存在重大差异；（5）结合货币资金余额、经营性现金流、债务结构及未来支出计划、同行业可比公司等情况，说明本次融资规模的合理性；（6）本次募投项目效益测算中产品单价、销量、毛利率等指标选取的主要依据，与公司现有产品及可比公司同类产品是否存在重大差异，新增折旧摊销及项目建设的成本费用对公司业绩的影响，本次效益测算是否谨慎、合理。
请保荐机构进行核查并发表明确意见，请申报会计师对事项（4）-（6）进行核查并发表明确意见。
回复：
一、本募与前募“高端半导体芯片掩模版制造基地项目”的区别与联系，是否存在共用土地、房屋、产线、设备等情况，能否明确区分，本募实施是否以前募“高端半导体芯片掩模版研发中心项目”研发结果为基础，结合行业发展趋势、前募产能利用和效益实现情况、公司PSM及OMOG类产品现有收入等说明本募项目实施的必要性，本次募集资金是否符合投向主业相关要求
（一）本募与前募“高端半导体芯片掩模版制造基地项目”的区别与联系，是否存在共用土地、房屋、产线、设备等情况，能否明确区分
公司前次募投项目“高端半导体芯片掩模版制造基地项目”是通过新建厂房和净化车间、购置先进设备、引进优秀技术人才，建立130nm-65nm节点高端半导体芯片掩模版研发及产业化基地，前次募投项目已于2025年3月投产，目前处于产能爬坡期。本次募投项目“40nm-28nm半导体掩模版生产线建设项目”是基于公司所处行业发展趋势，对现有产品和技术进行拓展和升级迭代，将公司半导体掩模版的工艺节点推进至40nm-28nm，不属于新产品、新业务，原材料及生产设备采购、产品生产以及客户拓展方面与现有业务存在协同性，同时还将进一步提高公司半导体掩模版业务的行业竞争力，可匹配更多大型晶圆制造企业及集成电路设计企业对于产品工艺和制程节点的需要。
本次募投项目与前次募投项目既有区别又有联系，以下为主要对比情况：
| 项目 | 前次募投项目 | 本次募投项目 | 联系和区别 |
| 实施地点 | 珠海市高新区金鼎片区金鼎中路东、 金瑞二路北侧 | 前募与本募均由珠海龙图实施，实施地点均 位于珠海龙图厂区所在土地，但前募与本募 具有相互独立的厂房，可以明确区分。 | |
| 工艺节点 | 半导 130nm-65nm 体掩模版 | 半导 40nm-28nm 体掩模版 | 本募产品的制程节点高于前募产品，是前募 产品的技术拓展和升级。40nm-28nm与 通常同样为 掩模版工艺， 130nm-65nm PSM 基本原理一致，关键技术相通，均需要 、曝光、显影、干法刻蚀、涂胶、二次 CAM 、 曝光、二次显影、二次刻蚀、检测、量测 修补、清洗、贴膜等环节，但在数据处理、 部分工艺技术、设备要求、环境洁净度等要 求更高。具体对比情况参见本题回复之“二 （一） 、在产品技术工艺上，本次募投产 / /1 品是前次募投产品基础上的技术继承与创 新，公司具备技术基础。” |
| 产品类型 | 二元掩模版、PSM 掩模版 | 二元掩模版、PSM 掩模版、 OMOG 掩模版 | 前募与本募的产品类型均包含二元掩模版 及 掩模版；但本次募投项目的二元掩 PSM 模版及PSM掩模版的制程水平更高、工艺 |
| 项目 | 前次募投项目 | 本次募投项目 | 联系和区别 |
| 难度更大；同时，当制程达到28nm及以下 的时候，部分关键层需要更薄、消光系数更 高的OMOG掩模版。 | |||
| 应用领域 | 主要应用于功率 芯片、存储器和模 拟芯片，包括电源 管理IC、电源管 理芯片（PMIC）、 图像传感器芯片 （CIS）、非易失 性存储器芯片 （NORFlash）、 硅光芯片、MCU、 LCD显示驱动IC 等 | 主要应用于数字 芯片和中高端驱 动芯片，包括 OLED显示驱动 芯片、数模混合芯 片、中高端通用 MCU及DSP（数 字信号处理器）、 存储控制 、中高 IC 端图像传感器芯 片（CIS）与高速 通信芯片等 | 发行人的工艺制程能力从65nm升级到 ，下游应用领域可以从功率芯片、模拟 28nm 芯片、存储器等扩展到数字芯片领域，产品 应用领域更广。 |
| 原材料 | 石英基板、光学膜 | 前募与本募的主要原材料均为石英基板和 光学膜，但本募的制程节点更高，相应原材 料的性能指标及采购成本更高。 | |
| 产线及生 产设备 | 激光光刻机、电子束光刻机、显影刻 蚀设备、缺陷检测设备等 | 前募与本募的主要生产设备类型基本相同， 但由于本募的制程节点更高，前募设备无法 满足本募产品的工艺窗口/工艺参数要求，本 募需新建全新的产线及采购性能规格更高、 单价更贵的生产设备。本募与前募产线和生 产设备可以明确区分。具体对比情况参见本 题回复之“一/（三）/4/（4）40nm-28nm制 程掩模版产线对资本投入要求极高，公司亟 需资本市场融资突破资金瓶颈”。 |
同时，虽然前募与本募均由珠海龙图实施，实施地点均位于珠海龙图厂区所在土地，但前募与本募具有相互独立的厂房，可以明确区分；由于本募的制程节点更高，前募设备无法满足本募产品的工艺窗口/工艺参数要求，本募需新建全新的产线及采购性能规格更高、单价更贵的生产设备，因此，本募与前募产线和主要生产设备亦可以明确区分。
（二）本募实施是否以前募“高端半导体芯片掩模版研发中心项目”研发结果为基础
前次募投项目“高端半导体芯片掩模版研发中心项目”目的是通过购置研发设备、软件、材料等建设研发中心开展研发活动，从而提高企业的研发创新能力和整体竞争力，根据市场及客户的需求持续开展高端半导体掩模版技术工艺的研发，以适应不同市场及客户的需求。截至2025年12月31日，前次募投项目“高端半导体芯片掩模版研发中心项目”尚未结项的原因系截至2025年底尚有134.74万元未投入，公司将尽快按照计划投入完毕并完成结项。
通过该项目的实施，公司显著地提高了整体研发实力和研发团队水平，通过对更高制程节点（<65nm）半导体掩模版的技术研发进行前沿性探索，形成了部分研发成果，有效地提高了企业的研发创新能力和整体竞争力，为公司本次募投项目建设40nm-28nm半导体掩模版生产线建设项目奠定了技术基础。公司已经针对40nm-28nm的全流程技术难点及关键技术进行了研究并形成了技术储备，具体情况参见本题回复之“二/（一）/2、本次募投产品相关技术储备充分，技术研发不存在重大不确定性”。未来，公司将依托“高端半导体芯片掩模版研发中心项目”建设成果持续开展高端制程技术工艺的研发，不断提升技术实力与市场竞争力。
因此，前次募投项目“高端半导体芯片掩模版研发中心项目”尚未结项主要系剩余少量募集资金尚未投入所致，公司将尽快按照计划投入完毕。公司通过该项目实施形成了部分研发成果，为本次募投项目建设40nm-28nm半导体掩模版生产线建设项目奠定了技术基础，并将持续开展高端制程技术工艺的研发，不断提升技术实力与市场竞争力。前次募投项目“高端半导体芯片掩模版研发中心项目”尚未结项不会对本次募投项目的实施或技术实现产生不利影响。
（三）结合行业发展趋势、前募产能利用和效益实现情况、公司PSM及OMOG类产品现有收入等说明本募项目实施的必要性，本次募集资金是否符合投向主业相关要求
1、行业发展趋势
（1）随着半导体技术节点的进步，半导体掩模版最小线宽及精度要求不断提升
半导体产品随着工艺技术进步和性能提升，线宽越来越窄，对上游掩模版的工艺水平和精度控制能力提出了更高要求。为了解决掩模版制作过程中由于线宽逐步缩小带来的诸多难题，以OPC光学邻近效应修正技术、PSM相移掩模版技术、电子束光刻技术为代表的一系列图形分辨率增强技术兴起并快速发展。
（2）芯片层数增加导致掩模版的张数增加，数据处理和套刻精度控制要求更高
随着终端产品的功能日趋复杂，半导体产品的集成度持续提高，晶圆制造的工艺不断进步。随着芯片堆叠层数的增加，半导体器件与集成电路的电路图也越发复杂，晶圆表面需要光刻的图案由传统的二维电路图像发展成含有多层结构的三维电路图像，这也导致半导体掩模版的张数不断增加，CAM版图处理的难度进一步加大，掩模版的套刻精度控制也更加困难。
（3）随着制程节点的不断提升，客户集中度越来越高
从下游客户需求看，越高制程的掩模版市场呈现客户集中度越高的特征。由于晶圆厂的资本开支和设备投入随着制程节点的提升而呈指数级上升，因此支撑节点越高，晶圆厂客户数量越稀少，单个客户的规模体量越大。同时，由于高端制程掩模版对供应链稳定性要求越严苛，头部客户为保障供应安全，通常与具备较强技术实力的掩模版厂商建立战略合作关系，晶圆厂与掩模厂形成了较强的合作黏性。因此，掩模版厂商的制程能力越高，能够合作的客户数量就越多、规模就越大。
（4）12英寸28nm及以上成熟制程市场需求旺盛，带来大量掩模版需求28nm及以上的成熟制程芯片是全球需求量最大的芯片，物联网、智能家居、汽车电子、通信、医疗、智能交通等领域主要依赖成熟制程芯片。据统计，按12英寸计算，全球成熟芯片代工需求将从2022年的467万片/月增加到2030年的691万片/月，成熟制程长期占比将维持在70%以上。成熟制程芯片是全球半导体市场需求最大的种类，也是造成此前“缺芯”的主要缺货对象。虽然智能手机、PC等领域主要应用先进制程，但在物联网、智能家居、汽车电子、通信、医疗、智能交通等领域则主要使用成熟制程芯片。
从国内需求来看，国内领先的Fabless设计公司主要专注于显示驱动芯片、CIS、ISP、MCU、IPC、蓝牙、WIFI、指纹传感器和NORFlash等产品，其中大部分产品依靠28nm及以上成熟制程产线制造。从后续增长点来看，得益于人工智能的快速落地，相关端侧AI应用将快速增长，而考虑性能与成本的平衡，28nm及以上成熟制程将会是AI端侧产品落地的首选节点。
相应国内主要大型晶圆厂均纷纷扩产，其产能主要聚焦于28nm及以上成熟制程，具体扩产情况参见本题回复之“一/（三）/4/（3）/①40nm-28nm制程的半导体掩模版存在大量的市场需求，新增产能未来能够有效提升公司收入规模”。
因此，国内晶圆厂对40nm-28nm制程节点半导体掩模版需求将大幅增加，然而在这一制程领域半导体掩模版国产化率极低，长期依赖外资厂商，为境内半导体掩模版厂带来巨大需求。
2、前募产能利用和效益实现情况
半导体掩模版的生产工序主要为CAM数据处理、光刻、检测三大环节。与下游晶圆制造中使用步进式光刻机进行投影曝光不同，掩模版使用激光/电子束直写光刻机进行直写式光刻，其光刻时间较长，单片掩模版的曝光时间通常在几十分钟甚至十几个小时不等，因此产能瓶颈集中在光刻环节。根据行业惯例，半导体掩模版的产能通常使用光刻设备产能进行测算。
2025年度，珠海工厂的产能利用率情况如下所示：
| 2025年度 | 生产工时 | 生产理论工时 | 产能利用率 |
| 珠海工厂 | 6,077.00小时 | 18,469.28小时 | 32.90% |
2025年，珠海龙图财务报表收入为2,728.80万元，产品穿透至对外销售的销售金额为3,329.06万元，净利润为-1,990.46万元。
公司前募项目2025年度产能利用率及实现效益较低，主要原因系珠海工厂一期于2025年3月投产，且部分设备为分批交货陆续投入使用，截至2025年年末尚处于产能爬坡初期，前期以较低制程的掩模版为主，并不断提升高阶制程的产品比例，相应收入及利润水平较低。目前，公司正与多家客户推进产品验证与订单导入。具体情况参见本题回复之“二/（三）客户认证情况”。
随着制程节点提升，下游晶圆厂客户对掩模版供应商的选择更为谨慎，验证周期显著增长。在半导体掩模版≥130nm制程节点时，验证周期通常为6至12个月；当制程为65-130nm时，验证周期通常为12至18个月甚至更久。公司前募项目尚处于从小批量供货到大批量供货的爬坡阶段，尚需一定时间释放效益。
随着产品认证通过及订单放量，公司预计珠海工厂一期项目销量将逐步提高，产能将逐步释放，产能利用率及实现效益也将稳步提升。
3、公司PSM及OMOG类产品现有收入
公司二元掩模（BIM）、PSM掩模和OMOG掩模的基本情况如下：
（1）二元掩模版（BIM）基本原理及报告期内收入情况
1
半导体生产工艺通常采用投影式光刻方法，在投影式光刻中，激光透过掩模版后，经过投影物镜成像到晶圆的光刻胶表面，通过掩模版对光线的遮挡或透过功能，实现掩模图案向晶圆线路图的图形转移。投影式光刻原理如下图所示：1
光刻方式通常根据曝光方式分为接触式光刻、接近式光刻、投影式光刻三类。其中，对于曝光面积较大、分辨率要求相对较低的平板显示类产品，通常使用接近式光刻的方法，能够实现掩模图案与基底图案的1:1复制；对于曝光面积相对较小、精度与分辨率要求极为苛刻的半导体类产品，通常使用投影式光二元掩模版，即BinaryMask（BIM），是最为常见、数量最多的掩模版， 多年以来广泛应用于半导体生产的晶圆曝光环节，常用于≥130nm制程节点的半 导体晶圆的生产中。传统二元掩模版是指由完全透光与完全不透光两种部分组成 的双层结构（即遮光部分遮光率为100%，透光部分遮光率为0%），是最为传 统的掩模版结构，广泛应用于g-line、i-line等光刻机光源。从结构上来看，传统 二元掩模版是石英基片—遮光层双层结构组成，每层结构的功能如下：ShieldingLayer：遮光层，材料为金属铬（Cr）。铬（Cr）作为自然界最硬的金属（莫氏硬度9），具有较高的光密度，铬膜能够在较薄的情况下，实现对光刻机g-line、i-line、KrF等光源的有效吸收；同时，铬具有较好的蚀刻锐利度，因此通常以金属铬作为光掩模基板的遮光层。
QuartzSubstrate：石英基片，通常使用高纯度的合成石英，对紫外线有着较好的透过率。在成品掩模版中，会将需要透光的部分通过曝光-显影-刻蚀等工序把表层的遮光层刻蚀掉，从而裸露出石英基片，已达到透光的目的。
报告期内，公司二元掩模版类收入分别为21,829.27万元、24,650.35万元和 24,417.87万元。 （2）PSM相移掩模版基本原理及报告期内收入情况 随着掩模版图形越来越复杂、线路密度越来越大，掩模版的透光区间距离便 越来越短，此时曝光过程中就会出现显著的干涉现象。光的干涉是指两束相干光 相遇而引起光的强度重新分布的现象。当掩模版的透光区间位置趋于接近时，从 相邻两个透光区射出的光线频率相同、振动方向相近、相位差恒定，形成了相干 光。两列或多列相干光在空间相遇时相互叠加，光强在某些区域始终加强，在另 一些区域则始终削弱，出现了稳定的强弱分布现象。上述现象会造成晶圆感光时 遮光区域仍有曝光、透光区域光强不足的情况，导致整体的对比度降低，CD精 度大幅下降，从而严重影响了晶圆的电路图形质量。当半导体的最小线宽小于 130nm后，传统的二元掩模版（BinaryMask）会由于光的干涉现象而无法对晶 圆进行有效曝光，需要采用相移掩模版（PhaseShiftMask,PSM）来消除曝光光 束中的干涉现象，提升CD精度水平。PSM掩模版的原理如下图所示：PSM相移掩模版，就是在掩模基板上生长相移层（MoSi材料）和遮光层（Cr）两种材料，通过二次曝光、二次显影、二次刻蚀等工序形成具有遮光区、透光区和部分透光的相移区结构的PSM相移掩模版。相移掩模版的基本原理是透过相移层的光线和透过透光层的光线之间因相位不同产生相消干涉，从而改变了空间的光强分布，提高了曝光光强明暗分布的对比度，最终实现了同一光学系统下的工艺参数的优化。
从结构上来看，PSM相移掩模版是石英基底—相移层—遮光层三层结构， 是在二元掩模的基础上，新增了一层相移层（Mosi材料），Mosi层能够透过6% 相反相位的光源，透过相移层的光线和透过透光层的光线之间因相位不同产生相 消干涉，从而改变了空间的光强分布，提高了曝光光强明暗分布的对比度，从而 增强了曝光分辨率。PSM相移掩模版作为中高端产品，主要应用于i-line、KrF、ArF等光刻机曝光的28nm-130nm制程半导体晶圆的制造中，且主要用于关键层，因此其单片制造成本、单片售价远高于二元掩模版。
2025年度，公司PSM类产品收入为203.38万元，已经实现PSM掩模版全流程工艺的拉通，但收入较少。上述情况主要系PSM产品尚处于客户验证推进与订单导入阶段，部分客户仍在验证阶段，因此PSM类产品收入较少。公司当前正在稳步推进上述工作，随着更多客户认证通过及订单放量，PSM类产品收入会逐步提升。
（3）OMOG掩模版基本原理及报告期内收入情况
对于高数值孔径NA的浸没式光刻机，掩模的结构引起的电磁场效应
（electromagneticfieldeffects，EMF）会导致工艺窗口性能显著降低，为了降低EMF效应，必须减小膜层的厚度。对于相移掩模，改变膜层厚度便会对相位差产生影响，并且传统的遮光层铬层对光线的吸收能力已经达到了光密度上限，因此需要一个新的解决方案。
OMOG掩模基板（OpaqueMoSionGlass）使用的不透光的MoSi材料作为
遮光材料，其具有更高的消光系数，能够在保持足够的遮光能力的同时进一步减小膜层厚度，通过MoSi材料与超薄Cr膜的组合，实现了在浸没式光刻机光源下的更精细的曝光分辨率和更好的CD均匀性。OMOG掩模版主要应用于使用浸没式光刻机作为光源进行曝光的半导体晶圆的生产中，其制程范围主要为≤28nm。OMOG掩模版从原理上看与二元掩模版类似，属于高端二元掩模版，但其造价显著更贵、制程要求和精度要求显著更高，同样仅用于部分关键层的生产中，因此其需求数量小于传统二元掩模版、PSM掩模版。
公司当前掩模版的技术节点最高到65nm，尚不涉及OMOG掩模版，故暂无OMOG掩模版产品收入。公司已经针对40nm-28nm所需的OMOG掩模版开展了技术研究并储备了相关技术，具体参见本题回复之“二/（一）/2、本次募投产品相关技术储备充分，技术研发不存在重大不确定性”。
（4）本次募投产品为公司现有产品的升级，技术上与现有产品存在相通性，并非公司切入全新产品，公司募投产品的量产不存在重大不确定性
公司本次募投产品除现有的二元掩模版和相移掩模版外，还包括更高制程的KrF-PSM、ArF-PSM及OMOG掩模版产品。其中，PSM掩模版公司已经实现量产，更高制程的KrF-PSM、ArF-PSM掩模版与公司现有PSM掩模版的产品结构、生产工序不存在显著区别，仅为生产设备与生产工艺上的升级，技术原理一致；OMOG掩模版本质为高端二元掩模版，其技术原理、生产工序与公司现有产品相类似，同样为公司现有生产工艺的改进与升级，具体如下表所示：
| 产品类型 | 公司现有产品 | 本次募投产品 | ||
| 二元掩模版 | KrF-PSM、ArF PSM | KrF-PSM、 ArF-PSM | OMOG掩模版 | |
| 技术原理 | 二元原理 | PSM相位偏转提 升曝光分辨率 | PSM相位偏转提 升曝光分辨率 | 较薄遮光层的二元 掩模原理 |
| 产品类型 | 公司现有产品 | 本次募投产品 | ||
| 二元掩模版 | KrF-PSM、ArF PSM | KrF-PSM、 ArF-PSM | OMOG掩模版 | |
| 主要生产 工序 | CAM-曝光-显影- 刻蚀-清洗-检测- 贴膜-检查-包装 | CAM-曝光-烘烤- 显影-刻蚀-清洗- 涂胶-烘烤-二次曝 光-二次显影-二次 刻蚀-清洗-检测- 贴膜-检查-包装 | CAM-曝光-烘烤- 显影-刻蚀-清洗- 涂胶-烘烤-二次曝 光-二次显影-二次 刻蚀-清洗-检测- 贴膜-检查-包装 | CAM-曝光-显影- 刻蚀-清洗-检测-贴 膜-检查-包装 |
| 遮光层结 构 | 金属Cr遮光层 | 金属Cr遮光层+ 钼硅（MoSi）材料 相移层 | 金属Cr遮光层+ 钼硅（MoSi）材料 相移层 | 超薄金属Cr遮光 层+钼硅（MoSi） 材料遮光层 |
| 光刻工艺 | 高精度激光光刻 | 电子束光刻+ 高精度激光光刻 | 电子束光刻+ 高精度激光光刻 | 电子束光刻+ 高精度激光光刻 |
| 刻蚀工艺 | 湿法刻蚀或干法 刻蚀 | 干法刻蚀 | 干法刻蚀 | 干法刻蚀 |
| 适用的下 游晶圆曝 光光刻机 | g-line光刻机、 i-line光刻机 | KrF光刻机、ArF 光刻机 | KrF光刻机、ArF 光刻机、浸没式 ArF光刻机 | 浸没式ArF光刻机 |
| 主要适用 半导体制 程节点 | ≥130nm | 130nm-65nm | 28nm-40nm | ≤28nm |
①本次募投产品KrF-PSM、ArF-PSM掩模版与公司现有已量产PSM掩模版相比，技术原理、主要生产工序、产品结构、核心工艺均一致，募投PSM产品与现有PSM的区别仅为生产设备的升级与对应工艺的提升，发行人已使用现有设备进行了充分的技术研发与储备，针对KrF-PSM、ArF-PSM的技术难点已成功攻克，部分技术成果已应用在公司现有PSM产品的量产上，预计未来设备到位后KrF-PSM、ArF-PSM产品量产不存在障碍。
②本次募投产品OMOG掩模版与公司已量产产品相比，其技术原理与公司现有二元掩模版类似，主要生产工序、产品结构、核心工艺与公司现有掩模版类似，募投OMOG产品与已量产产品的区别主要为应用制程更高、基板仅镀层存在差异和生产设备升级。公司已针对OMOG掩模板的相关材料及技术进行了充分技术研发与储备，目前研发工作正在顺利推进中，并取得了阶段性成果，预计未来设备到位后OMOG产品量产不存在障碍。
综上所述，本次募投产品是公司已量产产品的升级，是现有技术体系内的渐进式迭代升级，并非是公司切入全新领域的新产品。公司已针对本次募投进行了充分的技术研发与储备，相关技术难点已顺利攻克或取得阶段性成果，具体情况参见本题回复之“二/（一）/2、本次募投产品相关技术储备充分，技术研发不存在重大不确定性”。随着本次募投项目的顺利推进，未来相关设备到位后，预计产品量产不存在障碍，公司募投产品的量产不存在重大不确定性。
4、本募项目实施的必要性
（1）布局40nm-28nm成熟制程产品是公司既有战略的实施与延续
“深耕特色工艺，突破高端制程”是公司前期确立的重要发展规划。
40nm-28nm成熟制程产品的布局不仅是公司前次募投项目的扩建与延续，更是公司保持行业地位、巩固市场竞争力的必经之路。目前公司已实现90nm制程节点产品的量产出货，65nm产品也已开始送样验证。随着中国大陆半导体产业的快速发展，晶圆制造制程节点不断提升，公司需要提前布局更高制程节点产品才能保持自身技术进步与产品领先，才能满足境内晶圆制造厂商的日益增长的光罩需求。
公司在首次公开发行相关文件中曾明确表示：“公司秉承‘小步快跑，稳步提升’的发展策略，在已实现130nm制程节点量产的基础上，开展130-65nm工艺节点的产业化建设，并根据首期募投项目的落地及达产情况，后续针对更高制程节点继续加大资本投入与研发投入，以实现制程节点和工艺节点的稳步提升。
同时，发行人同期建设高端半导体芯片掩模版研发中心项目，开展65nm及以下制程节点的掩模版的产业化研究，为发行人未来65nm及以下制程节点的突破开展前沿探索”。公司本次募投项目布局40nm-28nm成熟制程产品，是技术迭代的稳健提升，是聚焦主业、服务国家战略性产业升级的重要举措。
（2）尽快拉通覆盖半导体成熟制程的掩模版供货能力，对提升公司市场竞争力具有重要战略意义
IC晶圆制造是通过生产工艺一层一层累计叠加形成的，晶圆需要前后经过多个掩模版曝光才能形成完整电路，每一个芯片的生产都需要一整套掩模版，其中关键层会使用最高的制程，能够满足IC晶圆生产的关键层掩模版制程能力是掩模版厂商竞争力的核心体现。28nm制程能力是当前衡量我国掩模版企业技术实力的核心标杆。从行业格局看，第三方掩模版市场普遍以28nm为重要分界线：一方面，在28nm以下的先进制程领域，由于境外掩模版厂商具有先发优势和产 业链集群优势，同时中国大陆半导体行业受贸易制裁、出口管制等多因素影响， 当前国内能够自主量产28nm以下制程掩模版的企业数量极少；另一方面，能够 突破28nm制程技术壁垒，是当前我国第三方掩模版企业构建差异化竞争优势、 巩固市场地位的关键路径，亦是其持续保持技术引领力的必然要求。从下游市场空间来看，28nm及以上的成熟制程芯片是全球需求量最大的芯片，物联网、智能家居、汽车电子、通信、医疗、智能交通等领域主要依赖成熟制程芯片。据统计，按12英寸计算，全球成熟芯片代工需求将从2022年的467万片/月增加到2030年的691万片/月，成熟制程长期占比将维持在70%以上。
从国内需求来看，国内领先的Fabless设计公司主要专注于显示驱动芯片、CIS、ISP、MCU、IPC、蓝牙、WIFI、指纹传感器和NORFlash等产品，其中大部分产品依靠28nm及以上成熟制程产线制造。从后续增长点来看，得益于人工智能的快速落地，相关端侧AI应用将快速增长，而考虑性能与成本的平衡，28nm及以上成熟制程将会是AI端侧产品落地的首选节点。相应的国内大型晶圆厂纷纷投建12寸晶圆厂，主要聚焦于28nm及以上成熟制程，具有巨大半导体掩模版匹配需求。
从下游客户需求特点看，由于高端制程掩模版对供应链稳定性要求越严苛，头部客户为保障供应安全、供应稳定、降低沟通成本等，通常更愿意与具有覆盖半导体成熟制程的掩模版厂商建立战略合作关系，晶圆厂与掩模厂会形成较强的合作粘性。掩模版厂商的制程能力越高，制程覆盖越全，能够合作的客户数量就从市场竞争格局看，目前130nm以上掩模版产品目前已经进入国产替代后期，竞争开始显现，相关市场规模难以再继续保持快速增长；130nm~65nm掩模版产品则处于国产替代快速推进阶段，下游客户相对集中，境内光罩厂商处于送样验证或批量供货状态；40nm~28nm则处于国产替代初期，国内光罩厂尚处于布局阶段，因该制程区间对晶圆厂的投资强度和技术能力要求极高，因此客户高度集中，提前布局才能在国产替代中取得先发优势。
在上述背景下，公司需要尽快实现40nm-28nm成熟制程掩模版量产，拉通覆盖半导体成熟制程的掩模版供货能力，否则若公司未能及时跟进40nm-28nm制程的产能布局与技术落地，将面临市场竞争格局重塑中的被动局面：不仅可能错失境内40nm-28nm制程掩模版市场的国产替代增量机遇，亦可能因技术迭代滞后导致现有客户合作关系的潜在流失。因此，在当前时点布局40nm-28nm制程产品是公司巩固行业地位、保持市场竞争力的必然选择，只有保持技术进步与产品领先，才能不被高速发展的市场所淘汰。公司本次募投项目具有必要性、紧迫性。
（3）本次募投项目是公司扩大经营规模、提升持续经营能力的现实需要①40nm-28nm成熟制程的半导体掩模版存在大量的市场需求，新增产能未来能够有效提升公司收入规模、满足国产替代配套需求
近年来AI应用、新能源汽车、智能驾驶、具身智能等行业蓬勃发展，产生了对存储芯片、驱动芯片、电源管理芯片、MCU、传感器、射频芯片等产品的巨大需求，国内主要大型晶圆厂均纷纷扩产，其产能主要聚焦于28nm及以上成熟制程。国内主要大型晶圆厂40nm-28nm制程节点扩产情况如下表所示：
| 晶圆厂 | 地点 | 投/扩产情况 | |
| 中芯国际 | 中芯北方 | 北京 | 现有产能7.5万片/月，规划新增4万片月度产能，总投资 500亿元，其中设备采购规模约350亿元，扩产后产能达 11.5万片/月，聚焦28nm和40nm制程 |
| 中芯南方 | 上海 | SN2产线建设中，规划新增3.5万片/月产能，主要服务于 28nm及以上制程 | |
| 中芯深圳 | 深圳 | 截至2025年年末，在建12英寸产线，规划产能4万片/ 月，目标制程为28nm-40nm | |
| 华虹半 导体 | 华虹九厂 | 无锡 | 2025年目标月产能8.3万片，制程覆盖28nm和40nm，主 要用于车规级芯片和功率器件 |
| 华力微 | 成都 | 华力微控股华虹集成电路（成都）有限公司，该公司成立 于2023年8月8日，注册资金228亿元，位于成都高新 | |
| 晶圆厂 | 地点 | 投扩产情况 / | |
| 区，规划月产能为3万片，预计2026年建成投产，工艺 节点为28nm，产品为逻辑、射频、高压及eNVM | |||
| 晶合集成 | 合肥 | 合肥四期项目总投资355亿元，建设月产能5.5万片的12 英寸产线，聚焦40nm和28nm的CIS、OLED驱动芯片及 逻辑工艺，预计2028年满产 | |
| 粤芯半导体 | 广州 | 粤芯半导体四期项目于2026年1月26日启动，地点位于 广州市黄埔区，项目总投资额达252亿元，规划建设月产 能4万片的12英寸数模混合及硅光特色工艺生产线，工 艺技术节点覆盖从65nm到22nm | |
| 华润微 | 深圳 | 12英寸产线规划产能4万片/月，目前正在产能爬坡阶段， 聚焦40nm制程节点及以上特色工艺，主要为电源管理芯 片和模拟芯片。 | |
| 积塔半导体 | 上海 | 上海临港产线规划产能5万片/月，制程覆盖40nm及以上， 重点布局车规级芯片和特种逻辑工艺 | |
| 武汉新芯 | 武汉 | 武汉新芯晶圆厂三期项目于2025年6月动工，计划建设 一条规划产能为5万片/月的12英寸特色工艺晶圆生产线， 主要扩产三维集成工艺平台、数模混合工艺平台相关产品 | |
| 士兰微 | 厦门 | 士兰微子公司厦门士兰集科微电子有限公司2026年1月 12英寸高端模拟芯片制造生产线项目正式开工，计划一期 投资100亿元，二期再追加100亿元，预计2027年四季 度初步通线，并于2030年实现达产，届时月产能4.5万片 | |
| 积海半导体 | 杭州 | 杭州积海半导体有限公司规划分阶段建设月产6万片的 12英寸集成电路特色工艺生产线，聚焦特色工艺晶圆代 工，涵盖逻辑、混合信号、功率、嵌入式存储等领域 | |
| 荣芯半导体 | 宁波 | 荣芯半导体（宁波）有限公司12英寸集成电路芯片生产 线项目于2025年开工建设，项目位于宁波，总投资160 亿元，建成后将形成每月3.5万片12英寸集成电路晶圆的 产能，覆盖28nm-180nm特色工艺制程 | |
| 锐立平芯 | 广州 | 锐立平芯微电子（广州）有限责任公司，成立于2022年， 位于广州市黄埔区，计划建设FD-SOI特色工艺量产平台， 以28nm级逻辑/特色工艺为主 | |
| 昇维旭 | 深圳 | 深圳市昇维旭技术有限公司于2022年3月在深圳注册成 立，总部位于深圳龙华。目前正在建设一条12英寸晶圆 Fab线，制程能力为28nm，产品主要聚焦DRAM存储， 规划产能达14万片/月。 | |
| 鹏芯微 | 深圳 | 鹏芯微集成电路制造有限公司专注于12英寸晶圆生产线， 提供逻辑电路、电源/模拟、混合信号、射频等多平台代工 服务，根据广东省发展改革委节能报告审查意见，项目设 计年产12万片12英寸28nm集成电路晶圆 | |
| 鹏新旭 | 深圳 | 深圳市鹏新旭技术有限公司，成立于2022年03月10日， 位于深圳市坪山区，隶属于深圳市重大产业投资集团。公 司聚焦40nm/28nm成熟逻辑工艺产能建设和卓越制造， 为全球客户提供晶圆制造代工服务，目前产线已经投产， 产能达4万片/月 | |
| 北电集成 | 北京 | 燕东微北电集成项目建设55nm-28nm特色工艺平台，燕 东微、京东方A拟联合其他北京市的国资公司，投资建设 12英寸集成电路生产线项目。项目总投资高达330亿元， 该项目规划产品主要为显示驱动芯片、数模混合芯片、嵌 |
| 晶圆厂 | 地点 | 投扩产情况 / |
| 入式MCU芯片以及基于PD/FD-SOI工艺技术的高速混合 电路芯片及特种应用芯片 | ||
| 芯联微 | 重庆 | 重庆芯联微电子有限公司成立时间于2023年10月27日， 位于重庆市，总投资超250亿，是一家12英寸晶圆fab 厂，工艺节点为55nm-28nm特色工艺，主要产品为车用 主控与MCU、电源管理与驱动、射频等芯片，总月产能 规划为4万片，一期月产能2万片 |
因此，国内晶圆厂对40nm-28nm成熟制程节点半导体掩模版需求将大幅增加，然而在这一制程领域半导体掩模版国产化率极低，长期依赖外资厂商。本项目投产后，公司将能够提供40nm-28nm制程范围的KrF-PSM、ArF-PSM以及OMOG掩模版产品，上述产品具有较高的技术难度和经济附加值。因此，公司本次募投项目新增的40nm-28nm成熟制程半导体掩模版产能可以填补当前国内市场缺口，满足客户需求，并有效提升公司收入规模。
②40nm-28nm成熟制程的布局能够有效提升公司现有65nm及以上制程产品的收入规模
随着芯片制程水平的不断提升，芯片最小线宽进入90nm、65nm、40nm乃至28nm时，晶圆制造的设备配置、技术工艺全面升级，原料成本、工艺控制难度显著增加，晶圆制造成本呈指数级提升，晶圆制造厂商的集中度也越高。半导体掩模版作为晶圆厂晶圆光刻的模具，直接决定了晶圆光刻的质量，对芯片的性能与良率至关重要。在上述背景下，随着芯片制程水平的不断提升，晶圆厂客户的集中度也越高、客户规模也越大，这些厂商对掩模版产品品质的把控标准更为严苛，对掩模版供应商的技术实力、产品稳定性提出了更高的要求。
在此背景下，上述晶圆厂客户在遴选供应商时，将企业是否具备更高制程产品的设备配置与技术能力作为核心评估维度之一——具备满足更高制程要求的设备与工艺水平，意味着能够实现向下兼容的技术延展性，即具备更高的“技术冗余”，并能够满足客户后续发展配套需要。光罩供应商的最高制程能力，是向客户充分彰显技术实力的关键体现。
此外，由于半导体器件和结构是通过生产工艺一层一层累计叠加形成的，晶圆需要前后经过多个掩模版曝光才能形成完整电路，因此每一个芯片的生产都需要一整套掩模版，数量通常在几十片甚至上百片不等。掩模版厂商向下游客户销售掩模版时，通常是成套出售，其中一套掩模版中的制程节点各不相同，仅有少 数的关键层会使用最高的制程，其余非关键层出于成本考量，通常使用相对较低 的制程。因此，公司本次募投项目扩展40nm-28nm更高制程节点后，未来新增 40nm-28nm制程产品的订单，同样会带来现有65nm以上制程产品的需求。因此，公司本次40nm-28nm掩模版产线的布局，不仅满足市场需求，新增40nm-28nm制程节点的订单收入，亦将显著增强对130nm-65nm制程产品客户的拓展能力，带动现有产线订单需求的提升，有力推动130nm-65nm制程产品销量的增长。公司对更高制程产品的布局，能够通过技术能力的溢出效应形成产品迭代与客户需求的共振，进一步巩固市场地位并提升客户粘性，有助于公司扩大经营规模、提升持续经营能力。
（4）40nm-28nm成熟制程掩模版产线对资本投入要求极高，公司亟需资本市场融资突破资金瓶颈
40nm-28nm制程掩模版作为半导体制造产业链中的关键材料，其生产对设备精度与工艺控制能力提出了更高要求，高端生产设备是该制程掩模版产线拉通的基础及关键条件。与130nm-65nm制程相比，40nm-28nm制程半导体掩模版设备投入金额更大，对资本投入的需求更高，需配备高端电子束光刻机、干法刻蚀机及量检测设备、修补设备等核心装备，单台设备采购成本是130nm制程的数倍。
40nm-28nm主要生产设备与130nm-65nm制程设备的对比情况如下表：
| 对应 工艺段 | 核心设备名称 | 设备单价（人民币） | 工艺窗口工艺参数要求 / | 40nm-28nm对设备能 力更高要求的原因及 具体体现 | ||
| 130nm -65nm | 40nm-28 nm | 130nm-65 nm | 40nm-28nm | |||
| 光刻 | 电子束光刻机 | / | / | / | / | 更小的CD、位置精度 要求 更高整版面的均匀性 要求 |
| 涂胶 显影 | 显影机 | / | / | / | / | 更高的线宽及均匀性 要求 |
| 蚀刻 | 蚀刻机 | / | / | / | / | 更高的线宽及均匀性 要求 |
| 去胶 清洗 | 清洗机 | / | / | / | / | 更高的线宽及均匀性 要求 |
| 测量 | 电子束尺寸量 测机 | / | / | / | / | 更高的机台性能稳定 性 |
| 检验 | 缺陷检验机 | / | / | / | / | 更高的缺陷检出能力 要求 |
| 测量 | 测长机 | / | / | / | / | 位置精度准确性和误 差小于0.7nm |
| 修补 | 电子束修补机 | / | / | / | / | 更精准线条轮廓修复 效果 |
（5）40nm-28nm成熟制程掩模版产线建设周期更长、客户验证周期更长，具有提前布局的必要性
掩模版作为半导体制造的核心关键材料，其生产设备采购具有技术门槛高、供应商集中、交付周期长等显著特征。以核心设备电子束光刻机为例，当前全球仅日本JEOL、NuFlare等少数厂商具备生产能力，单台设备采购周期长达12-18个月，且需提前支付30%-50%预付款锁定产能，而设备到位后还需进行设备安装和工艺调试，整体周期超过2年。若设备采购滞后，将直接导致客户订单交付延迟，丧失市场先机。
掩模版作为下游晶圆厂光刻环节极其重要的设计图案转移工具，是晶圆制造光刻环节不可或缺的光学模具，对晶圆制造和芯片产品的良率和品质影响巨大。
因此，下游晶圆制造厂商对掩模版厂的要求较为严格，一般情况下，在40nm-8nm节点，晶圆制造厂商对掩模版工厂的验证和供应商评估期在18至24个月甚至更长。并且，相较于130nm-65nm掩模版，40nm-28nm掩模版图形密度大幅增加，图形间隔的复杂程度更大，验证流程更为苛刻与复杂，若验证过程中涉及工艺调整则耗时更久。
半导体掩模版作为晶圆制造的核心模具，其产能规划与工艺节点需跟随下游晶圆厂的扩产节奏，具有显著的同步性与配套性。当前，境内主流晶圆厂正加速向40nm-28nm成熟制程迈进，密集投建12英寸生产线，预示着未来该制程节点将释放巨大的国产掩模版配套需求。以公司核心客户燕东微为例，其于2022年IPO时募投项目尚为65nm工艺节点的12寸晶圆厂，但在该项目2024年收入仅实现7,775.57万元的前期阶段，便迅速于2025年启动非公开发行，募集资金40亿元投向55nm-28nm的12英寸晶圆产线。这一战略决策深刻反映了集成电路制造业“产线建设周期长、工艺布局窗口期紧”的行业特征：由于晶圆厂建设及产能爬坡往往需要数年时间，配套供应商必须前瞻布局，提前卡位。目前，国内28nm掩模版产线建设正处于关键的历史机遇期，若公司拘泥于等待前次募投的65nm产线完全达产后再行规划，必将错失与下游客户同步成长的黄金窗口，导致被先行布局的竞争对手抢占市场份额，后续面临的挑战将大大增加。因此，公司本次立即启动40nm-28nm高端掩模版产线建设，正是为了精准匹配下游客户的扩产节奏，抓住供应链本土化的紧迫需求，其募投必要性与行业发展趋势及头部客户的战略决策与执行相一致。
综上，40nm-28nm成熟制程掩模版的设备购置与调试、产品研发与客户验证周期均较长，提前启动设备采购既是技术升级的必然要求，更是把握产业升级窗口期的战略选择。公司在当前90nm-65nm产品实现量产的窗口期，提前布局40nm-28nm制程产品符合行业发展要求。
5、本次募集资金是否符合投向主业相关要求
本次募集资金项目“40nm-28nm半导体掩模版生产线建设项目”紧密围绕公司主营业务展开，是公司现有主营业务的升级、延伸和扩充，与公司现有主营业务的发展高度关联，是公司既定的“深耕特色工艺，突破高端制程”长期发展战略及业务布局的实施与延续。通过本次募投项目的实施，公司半导体掩模版产品的工艺节点将提升至28nm，可充分满足下游市场及客户需求，保持公司技术速发展及国产替代机遇。因此，本次募集资金使用符合主要投向主业的相关要求。
二、结合本募产品相关技术和人员储备、开发进展、研发难点攻克及保障情况、客户认证情况、历史研发成果转化情况、主要原材料及生产设备供应的稳定性、前募结项进度等，说明本次募投项目实施是否存在重大不确定性（一）本次募投产品相关技术储备、开发进展、研发难点攻克及保障情况、历史研发成果转化情况
1、在产品技术工艺上，本次募投产品是前次募投产品基础上的技术继承与创新，公司具备技术基础
40nm-28nm制程节点半导体掩模版是在90nm-65nm掩模版基础上的技术继承与技术创新。40nm-28nm与90nm-65nm通常同样为PSM掩模版工艺，基本原理一致，关键技术相通，均需要CAM、曝光、显影、干法刻蚀、二次曝光、二次显影、二次刻蚀、检测、量测、修补、清洗、贴膜等环节，但在数据处理、部分工艺技术、设备要求、环境洁净度等方面要求更高。公司90nm-65nm制程节点掩模版工艺的全线拉通，为40nm-28nm制程产品的研发与量产奠定了良好的技术基础。不同制程节点半导体掩模版的具体对比表格如下：
| 产品代际 | 大于 350nm | 130-350nm 制程节点 | 65-130nm 制程节点 | 40nm-28nm 制程节点 | |
| 基材 | 光阻 | IP光刻胶 | IP光刻胶 | CAR化学放大胶 | CAR化学放大胶 |
| 膜系 | 金属遮光 层 | 金属遮光层 | 金属遮光层+钼硅 （MoSi）材料相移 层 | 金属遮光层+钼硅 （MoSi）材料相移 层 | |
| 平整度 | 2μm | 1μm | ≦1μm | ≦0.5μm | |
| 环境 要求 | 关键区域 洁净要求 | ISOClass5 | ISOClass4 | ISOClass3 | ISOClass2 |
| AMC 控制 | 关键工序 | 关键工序 | 全工序 | 全工序 | |
| 关键区域 微振控制 | VC-C | VC-C | VC-D及以上 | VC-E及以上 | |
| 磁场屏蔽 要求 | 无 | 无 | 关键区域 | 关键区域 | |
| 光学特性 | 二元掩模 版 | 二元掩模版 | PSM相移掩模版 | PSM相移掩模版 &OMOG掩模 | |
| CAM 环节 | 数据处理 | 遮光层图 形数据处 理 | 遮光层图形数据 处理 | 遮光层图形数据 处理+ 相移层数据处理 | 遮光层图形数据处 理+ 相移层数据处理 |
| 补偿技术 | 无OPC补 偿 | 基于规则的OPC 补偿 | 基于模型的OPC 补偿 | 基于模型的OPC 补偿、MPC | |
| 产品代际 | 大于 350nm | 130-350nm 制程节点 | 65-130nm 制程节点 | 40nm-28nm 制程节点 | |
| multi-bias补偿 | |||||
| 光刻 环节 | 光刻工艺 | 激光光刻 | 高精度激光光刻 | 电子束光刻+ 高精度激光光刻 | 电子束光刻+ 高精度激光光刻 |
| 刻蚀工艺 | 湿法刻蚀 | 湿法刻蚀 | 干法刻蚀 | 干法刻蚀 | |
| 涂胶工艺 | 掩模基板 自带光刻 胶 | 掩模基板自带光 刻胶 | 掩模基板自带光 刻胶+ 厂内二次涂胶与 烘烤 | 掩模基板自带光刻 胶+ 厂内二次涂胶与烘 烤 | |
| 清洗工艺 | 酸液清洗 | 酸液清洗 | 无酸清洗 | 无酸清洗 | |
| 检测 环节 | CD测量 | 光学测量 | 光学测量 | CD扫描电子显微 镜（CD-SEM）测 量 | CD扫描电子显微 镜（CD-SEM）测 量 |
| 检测工艺 | STARlight 扫描 | STARlight扫描 +Die-to-Database 检测 | STARlight扫描+ Die-to-Database检 测+ 相移层灰度检测 | STARlight扫描+ Die-to-Database检 测+ 相移层灰度检测 | |
| 相位测量 | 无 | 无 | 相位角测量 | 相位角测量 |
OMOG掩模版，与公司现有产品相比，产品结构、生产工序不存在显著区别。
其中，PSM掩模版公司已经实现量产，更高制程的KrF-PSM、ArF-PSM掩模版与公司现有PSM掩模版的产品结构、生产工序不存在显著区别，仅为生产设备与生产工艺上的升级，技术原理一致；OMOG掩模版本质为高端二元掩模版，其技术原理、生产工序与公司现有产品相类似，同样为公司现有生产工艺的改进与升级，不属于切入新赛道、新产品，不属于跨越式发展新产品。
同时，半导体掩模版技术具有“Know-How”特点，工艺技术的研发是公司针对不断升级的客户需求进行上万次各类试验的经验和技术积累，技术的研发和迭代是基于现有技术成果的改进和创新。综上，从产品技术工艺上来看，本次募投产品是前次募投产品基础上的技术继承与创新，是公司现有技术的迭代与升级。本次募投产品，并非是公司向全新领域切入，不属于跨越式发展，而是公司前次募投项目的扩建与延续，公司具备技术基础。公司本次募投项目在技术基础上不存在重大不确定性。
2、本次募投产品相关技术储备充分，技术研发不存在重大不确定性
公司在前次募投项目实施中，针对本次募投产品40nm-28nm制程半导体掩模版实施与量产中的相应技术，进行了一定的技术研发与储备，其开发进度与攻克情况可分为：研发活动实施、专利和专有技术形成、批量技术应用三个阶段。
其研发方向、对应环节、技术内容、技术难点、开发进度与攻克情况、预计取得的技术成果如下表所示：
| 序 号 | 研发方向 | 对应 环节 | 储备技 术具体 内容 | 技术难点 | 开发进度 与攻克 情况 | 预计已取得的技术成果 / |
| 1 | 光罩高效工艺 补 偿 方 法 -MPC | CAM 环节 | / | 技术难度高，需要通过 工具或自建补偿模型补偿电子束曝 EDA 光造成的雾化效应，正向/背向散射，与等离子蚀刻的负载效应， 以优化光罩均匀度等条件符合先进光罩要求，需要大量验证实验 确认架构模拟模型的正确性。 | / | 技术开发不存在实质性障碍，预 计产生一项发明专利《高效工艺 补偿方法 》 -MPC |
| 2 | MPW case 处 理能力提升 | CAM 环节 | / | 技术难度较高，通用自动 系统需要集成全面完善逻辑， tapeout 对多家客户各种不同情况进行综合考虑，优化出通用、科学、系 统化的逻辑方式，从而大大提升系统兼容性，项目搭建过程中也 需要大量的测试，确保系统的可靠性。 | / | 技术开发不存在实质性障碍，预 计搭建mask数据处理通用的自 动 系统 tapeout |
| 3 | 高阶负胶 曝 光技术研发与 补正建立 | 光刻 | / | 技术难度中，高阶光罩部分层别特别重视光罩黑区（ ）临界 line 尺寸，因此需采用负胶光罩进行制作，负型胶因其曝光成像特性 对曝光能量与软烘温度极为敏感，现行正胶参数难以复刻实现于 负胶光罩，因此需要开发满足新制程客户需求的工艺技术。 | / | 已取得高阶负胶曝光参数与蚀 刻曲线补正技术，预计本次募投 设备到位后进行最终的量产验 证 |
| 4 | 针对大片 Cr 缺陷，制作局 部的二次曝光 JOB进行修补 | 光刻 | / | 技术难度中，相移光罩在第二次制程（secondlayerflow）容易因 为颗粒因素导致铬残留（ ）影响相位移层透光度与相位移 defect 特性进而降低芯片生产良率，铬残留若在修补机台进行去除难度 较大也需耗费大量修补时长，因此需要开发新制程有效解决相位 移光罩铬残留问题。 | / | 已取得高端mask精准定位与局 部二次曝光修补技术，该技术也 已经在公司现有PSM掩模版量 产中批量应用。 |
| 5 | 28-40nm高阶 PSM材料工艺 开发 | 光刻 | / | 技术难度高，高阶制程中除设备与参数优化外，先进空白光罩材 料（blank）也开始大量被采用。先进材料在光阻特性、铬膜厚 度与蚀刻比、相移层厚度做出大幅调整。对于光罩厂除了需开发 新制程外，光罩修补也成为挑战。 | / | 已取得高阶mask光刻与关键尺 寸感度系数补正技术，预计本次 募投设备到位后进行最终的量 产验证 |
| 6 | 基于MES的制 程参数及机台 recipe的自动 化补正开发 | 制程优 化 | / | 技术难度高，高阶 因其图形尺寸更小，图形更加复杂、 mask OPC 多样、使用的材料膜层更薄更敏感度等，CD控制难度指数级提 高，需大量数据计算曝光、显影、蚀刻、去胶等站点的各种参数 系数（如最小尺寸、图形密度、正负胶、线性、临近效应等）， 并拟合建立补正数学模型，而后建立基于MES开发自动化补正 系统。 | / | 技术开发不存在实质性障碍，预 计完成基于MES系统建立高端 maskprocess自动化补正模型 |
| 序 号 | 研发方向 | 对应 环节 | 储备技 术具体 内容 | 技术难点 | 开发进度 与攻克 情况 | 预计已取得的技术成果 / |
| 7 | OMOG制程开 发 | BIN材 料应用 | / | 技术难度高， 掩模的 层先进材料在光阻特性、膜层 OMOG MoSi 厚度与蚀刻比、相移层厚度做出大幅调整。对于光罩厂除了需开 发新制程外，光罩修补也成为挑战。 | / | 技术开发不存在实质性障碍，预 计取得高阶BIM（薄Cr）开发 补正技术。 |
| 8 | PellicleInduce Distortion （PID）控制 | PSM 材料应 用 | / | 技术难度高，光罩出货前需要贴上保护膜（pellicle）以避免灰尘 落在光罩图形上导致芯片产生缺陷。高阶光罩因为对套刻精度要 求极高，因此特别重视贴膜前后光罩是否发生微形变导致套刻精 度下降。为避免此状况发生，光罩厂需要从多方面着手。例如： 贴膜胶粘剂成分，胶粘剂平整度与贴膜设备分区压力管理系统。 | / | 该技术难点已成功攻克，已与供 应商接洽获取测试样品着手开 , 始进行工程测试。预计本次募投 设备到位后进行最终的量产验 证 |
| 9 | xCDA（极洁 净干燥空气） SMIF盒充填 储存 | 检测 | / | 技术难度高，随着制程节点不断推进，粒子管理（ ） particlecontrol 一直是晶圆厂乃至光罩厂努力克服的难题。光罩厂在光罩存储环 境采用氮气柜存储，传送过程中采用全程SMIF盒传递，并且与 环境监控采用粒子检测仪（ ）进行监控等，但粒 particlecounter 子控制仍然还有进展空间。 | / | 该技术难点已成功攻克，预计将 取得高阶光罩生产过程离子管 控技术。预计本次募投设备到位 后进行最终的量产验证 |
综上，公司本次募投项目在工艺研发与技术迭代方面具备保障，本次募投项目技术研发与产品量产不存在重大不确定性。
3、本次募投项目是现有技术体系内的制程渐进式迭代升级，相关技术难点已攻克或取得了阶段性成果，预计未来设备到位后可顺利量产
本次募投项目是公司现有技术体系内的制程渐进式迭代升级，募投产品不属于公司新产品，具体论述参见本题回复之“一/（三）/3/（4）本次募投产品为公司现有产品的升级，技术上与现有产品存在相通性，并非公司切入全新产品，公司募投产品的量产不存在重大不确定性”，预计40nm-28nm制程设备到位后可以顺利生产并客户送样。发行人现有设备的制程能力最高为65nm制程节点，40nm-28nm制程设备尚未采购到厂，因此发行人目前无法直接对本次募投产品进行试制。与130nm-65nm制程相比，40nm-28nm制程半导体掩模版设备投入金额更大，对资本投入的需求更高，需配备高端电子束光刻机、干法刻蚀机及量检测设备、修补设备等核心装备，单台设备采购成本是130nm制程的数倍，整条线投资规模接近20亿元；而发行人前次募集资金全部投入珠海一期项目建设且已经基本使用完毕，故公司急需通过本次募集资金解决40nm-28nm的设备等资本投入，这也是本次募投项目的必要性之一。因此，发行人目前尚未进行募投产品试制，符合公司实际情况、也符合行业特征，具有合理性。
40nm-28nm制程节点半导体掩模版是在公司90nm-65nm掩模版基础上的技术继承与技术创新，具体情况参见本题回复之“二/（一）/1、在产品技术工艺上，本次募投产品是前次募投产品基础上的技术继承与创新，公司具备技术基础”。
公司已对40nm-28nm制程半导体掩模版技术的全流程进行了充分的技术研发与储备，相关研发包括KrF-PSM、ArF-PSM及OMOG掩模版，相关技术难点已顺利攻克或取得阶段性成果，具体情况参见本题回复之“二/（一）/2、本次募投产品相关技术储备充分，技术研发不存在重大不确定性”。同时，公司多年来深耕半导体掩模板领域，成功实现制程节点从250nm—130nm—65nm的突破与量产，累计完成了多个工艺试验与技术迭代，积累了大量“Know-how”专有技术，培养出一批拥有十余年一线实战经验的资深工程师与技术骨干，也将有力推动公司本次募投产品的量产落地。与此同时，公司引进境内外光罩行业或头部晶圆厂的高端人才，上述新引进人员研发经历囊括了40nm-28nm制程半导体掩模版产线建设、样品研发、产品量产等多个环节，亦能够有力地保障公司募投项目的产线建设与产品量产。除此之外，本次募投项目与前次募投项目的生产设备类型基本相同，仅是工艺窗口/工艺参数更高，公司在前次募投项目成功量产中积累的设备调试和磨合经验可以迁移至本次募投项目中。因此，预计未来设备到位后，本次募投产品可以顺利量产，公司募投产品的量产不存在重大不确定性。
上述进度安排符合半导体行业惯例，掩模版生产线类似于小型晶圆厂，产品制作也需要经过光刻、显影刻蚀、清洗、检测等环节，以公司晶圆厂客户为例，燕东微于2022年IPO时募投项目尚为65nm工艺节点的12寸晶圆厂，但在该项目2024年收入仅实现7,775.57万元的前期阶段，为了抓住大陆晶圆厂建设28nm制程工艺的宝贵窗口期，便迅速于2025年启动非公开发行，募集资金40亿元投向55nm-28nm的12英寸晶圆产线建设。以发行人前次募投项目为例，发行人于2023年申报IPO时，制程能力最高仅为130nm，且产品仅为二元掩模版，但申报时规划的募投项目为130nm-65nm制程节点半导体掩模板产线，且产品类型覆盖二元掩模版和PSM掩模版，与本次募投项目相比，发行人前次募投项目产品升级幅度更大，但最终于2025年顺利实现前次募投产品的量产，制程能力提升至65nm节点。
综上所述，公司募投项目的进度安排符合半导体行业惯例，本次募投项目是现有技术体系内的制程渐进式迭代升级，募投产品不属于公司新产品。公司具有丰富的制程迭代经验，且已对募投项目全流程进行了较为充分的技术研发与储备，预计未来设备到位后，本次募投产品可以顺利量产，公司募投产品的量产不存在重大不确定性。
4、公司本次募投项目量产及商业化应用尚需突破的关键环节
针对本次募投产品40nm-28nm制程半导体掩模版实施与量产中的相应技术，进行了充分的技术研发与储备，部分技术形成了专利和专有技术，部分技术已经应用在公司PSM掩模版的量产中，上述储备技术为本次募投产品量产奠定了良好的技术基础，具体研发进度及成果情况参见本题回复之“二/（一）/2、本次募投产品相关技术储备充分，技术研发不存在重大不确定性”。
公司已在40nm-28nm制程半导体掩模版的各个环节积极储备相关技术，但距离量产及商业化应用还先后需要关键设备的落地与调试、储备技术的全环节批量应用、产业链上下游的磨合与试验三个环节，具体如下：
（1）关键设备的落地与调试
发行人40nm-28nm制程半导体掩模版涉及更高制程节点的PSM掩模版及OMOG掩模版等产品，由于发行人当前设备最高制程能力为65nm制程节点，发行人现有设备无法满足本次募投产品的制版需求，需要进行全环节的设备升级。
通过本次募投项目的实施预计能够满足40nm-28nm制程产品的全流程设备需求。关键设备的落地与调试，是本次募投产品实现批量生产、储备技术实现商业化应用的前提。
（2）储备技术的全环节批量应用
公司已在现有设备及软件的基础上，对40nm-28nm制程半导体掩模版的全流程技术进行了较为充分的技术研发与储备，涵盖CAM、光刻、检测三大环节及相应材料共9项研究。9项研究均是针对40nm-28nm制程半导体掩模版的研究，产品包括PSM掩模版及OMOG掩模版，技术成果均将应用于本次募投产品的生产中。其中，1项研究已经已形成相关技术并批量应用于公司PSM掩模版产品的量产中；4项研究技术难点已成功攻克，预计本次募投设备到位后进行最终的量产验证；4项研究处于研发活动实施阶段，并取得阶段性成果，目前研发工作正在顺利推进中，技术开发不存在实质性障碍。
核心。公司目前正全力开展相关技术研发与攻关工作，已形成了部分技术成果，具体研发方向、对应环节、技术内容、技术难点、开发进度与攻克情况、预计取得的技术成果参见本题回复之“二/（一）/2、本次募投产品相关技术储备充分，技术研发不存在重大不确定性”。
（3）产业链上下游的磨合与试验
半导体掩模版作为衔接芯片设计与晶圆制造的高度定制化产品，产品最终应用于半导体的批量生产中，因此新的掩模产品的批量应用，还需要与上下游行业进行技术交流与双向验证。掩模厂商自身的研发与测试结果仅仅是基于掩模版产品本身层面，而实现规模化的商业应用还需要下游晶圆厂更为严苛的测试验证。
因此，产业链上下游的磨合与验证，是本次募投产品实现商业化批量应用的关键。
公司与华虹半导体、华润微、士兰微、积塔半导体、粤芯半导体、芯联集成、燕东微、比亚迪半导体、浙江创芯集成电路有限公司等大型晶圆厂建立了良好的合作关系，上述厂商覆盖了40nm-28nm制程节点半导体的量产，公司与其技术交流与业务合作有助于推动本次募投的技术实现。
综上，发行人对40nm-28nm的掩模版关键技术已经进行了较为充分的技术研发与储备，且公司与华虹半导体、华润微、士兰微、积塔半导体、粤芯半导体、芯联集成、燕东微、比亚迪半导体、浙江创芯集成电路有限公司等大型晶圆厂建立了良好的合作关系，公司与其技术交流与业务合作有助于推动40nm-28nm掩模版的技术实现，公司40nm-28nm的技术应用不存在重大不确定性。
5、历史研发成果转化情况
在前次募投项目实施中，公司已经实现了130nm-65nm全流程的工艺拉通，形成了一系列的技术成果。公司130nm-65nm积累的技术具体情况如下：
| 序 号 | 研发方向 | 对应环节 | 具体 内容 | 对应研发项目 | 取得的技术成果 | 研发及 应用 进度 |
| 1 | OPC分辨率 增强技术的 研究 | CAM环节-光学 临近效应补偿 | / | 应用于180nm工艺节点半导体 掩模版图形增强技术研发项目， 应用于 图像传感器的掩 CMOS 模版项目研发 | 该技术成果已成功应用于产品量产中，已形成具备自主知识 产权的OPC全流程解决方案，涵盖亚分辨率辅助图形生成、 模型校准与优化算法，软件著作权《掩模板OPC图形自动 生成软件》结合专有补偿规则库，具备纳米级补偿精度与高 速运算能力 | / |
| 2 | PSM掩模版 数据处理技 术研究 | CAM环节-版图 数据接收及处理 | / | PSM掩模版CAM环节分辨率增 强及自动化处理提升研究项目 | 该技术成果已成功应用于产品量产中，完成PSM数据智能 自动检测功能，软件著作权《PSM掩模数据自动分层软件》 已获授权 | / |
| 3 | 不同激光光 刻设备和电 子束光刻设 备的对位工 艺研究 | CAM环节-版图 数据接收及处理 | / | 不同机台掩模registration基准匹 配项目，光芯片用掩模版制作工 艺研究项目 | 该技术成果已成功应用于产品量产中，已构建跨平台高精度 对准规则，涵盖标记设计、设备间坐标统一与补偿模型，获 发明专利两项专利技术与专有技术相结合。 已形成发明专利两项，软件著作权一项：《掩模板预校准方 法、系统、电子设备以及可读存储介质》，专利号： ZL202310387417.7；《掩模板的光刻方法、装置、设备及存 储介质》专利号：202411482986.0 软件著作权《掩模板多层套刻对准标自动生成软件》 | / |
| 4 | 版图数据自 动化处理的 数据库及算 法研究 | CAM环节-版图 数据接收及处理 | / | 基于数字信息自动化掩模版制 程综合管理系统的研发项目 | 建立自动化tapeout系统，主线可实现全自动化产生JDV（无 需人为介入），目前正在测试阶段 | / |
| 5 | MRC版图检 查的规则及 数据库研究 | CAM环节-数据 检查与仿真 | / | 特色工艺用掩模版localCDU的 改善优化项目 | 搭建MRC自动化项目，可针对不同客户完成MRC定制化 检查，并自动完成MRCreport的生成，目前正在测试阶段 | / |
| 6 | 光刻环节环 境参数对光 刻分辨率的 影响及制程 | 光刻环节-第一层 光刻（电子束光 刻）、第二层光刻 （高精度激光光 | / | 基于spc在线监控系统的掩模版 制程稳定性提升的研发项目 | 该技术成果已成功应用于产品量产中，专利与专有技术相结 合，已形成两项发明专利、一项实用新型专利： 发明专利《掩模板曝光过程表面颗粒实时清除装置》，专利 号ZL202110930986.2； | / |
| 序 号 | 研发方向 | 对应环节 | 具体 内容 | 对应研发项目 | 取得的技术成果 | 研发及 应用 进度 |
| 参数的实时 监控与调节 | 刻） | 发明专利《半导体芯片用掩模板传送装置及其传送方法》， 专利号ZL202210336511.5 实用新型专利《掩模板原材料恒温装置》，专利号 ZL202121906718.9； | ||||
| 7 | 二次光刻的 精准对位研 究 | 光刻环节第二层 - 光刻（高精度激光 光刻） | / | 应用于130nm节点功率半导体 用掩模版良品率提升项目研发， 基于半导体BCD工艺制程用掩 模版研发项目，多尺寸规格掩模 版 精度提升项目 overlay | 该技术成果已成功应用于产品量产中，开发出亚纳米级对位 精度的多机台协同曝光系统，实现多重曝光套刻误差＜ 1.5nm，支持第三代半导体掩模板高精度层间对准。 形成了以下知识产权： 发明专利《半导体芯片用掩模板传送装置及其传送方法》， 专利号ZL202103365115； 实用新型专利《掩模板原材料恒温装置》，专利号 ZL202121906718.9； | / |
| 8 | 掩模工艺校 正（MPC）方 法研究 | 光刻环节-第一层 光刻环节（电子束 光刻） | / | 应用于掩模版的MPC分辨率增 强技术研究项目，第三代掩模版 工艺制程与检测技术研究项目， 显影方式优化对图像精度及缺 陷改善的研究项目 | 该技术成果已成功应用于产品量产中，已完成 补偿模 MPC 型全版图验证的专有技术 | / |
| 9 | 相移层关键 指标控制方 法研究 | 光刻环节-相移层 （MoSi）刻蚀、 第二层涂胶与烘 烤 | / | 应用于110nm节点半导体用掩 模版项目研发，90nm-ArF-PSM 高阶光罩研发项目 | 该技术成果已成功应用于产品量产中，目前已申请一项《掩 模板线边修正方法、装置、设备、存储介质及产品》，知识 产权目前正在实质审查中 | / |
| 10 | DUV掩模版 无酸清洗工 艺研究 | 光刻环节-无酸清 洗 | / | 应用于功率器件半导体掩模批 量酸煮工艺开发项目，DUV用掩 模版表面清洗离子残留控制技 术项目，精密掩模版光学防尘膜 remount研究项目，湿法工艺侧 壁角优化技术研发项目 | 该技术成果已成功应用于产品量产中，产生一项发明专利 《掩模板清洗方法、装置、设备、存储介质及产品》，专利 号：202411276187.8； 形成两种专有技术《制程设备微环境控制方法》和《显影液 浓度差反补CDU技术》 | / |
| 序 号 | 研发方向 | 对应环节 | 具体 内容 | 对应研发项目 | 取得的技术成果 | 研发及 应用 进度 |
| 11 | 掩模基板二 次涂胶与烘 烤工艺研究 | 光刻环节-第二层 涂胶与烘烤 | / | 基于电子束光刻技术的掩模版 工艺开发项目 | 该技术成果已成功应用于产品量产中，形成了专利技术与专 有技术，已形成一项发明专利《半导体芯片用相移掩模板光 刻胶烘烤方法及存储介质》，专利号：ZL202210340217.1 | / |
| 12 | 干法刻蚀精 细化控制研 究 | 光刻环节-第一层 刻蚀、相移层 （MoSiON）刻 蚀、第二层刻蚀 | / | 基于ICP技术的掩模版干法刻蚀 工艺开发，基于0.13μm节点的 Laser和dryetch工艺良率提升研 究项目 | 目前干法刻蚀精细化控制研究已成该技术成果已成功应用 于产品量产中，为公司内的专有技术 | / |
| 13 | 高端半导体 掩模版光学 检测方法研 究 | 检测环节-AOI扫 描 | / | 基于先进半导体制程用掩模版 综合缺陷检测技术的研发项目， 应用于0.13～0.35μm工艺节点 高端功率芯片光罩缺陷综合检 测技术研发，制程精度检测精准 度与及时性提升项目，三维掩模 版侧壁角检测优化系统开发项 目 | 该技术成果已成功应用于产品量产中，构建了高灵敏度多模 式光学检测平台，集成透反射双路同步采集与智能比对算 法，已获发明专利《掩模板辅助静态图像测量装置及系统》 并形成亚微米级缺陷捕捉与分类专有技术体系 | / |
| 14 | 相移掩 PSM 模版缺陷的 灰度检测方 法研究 | 检测环节-相移层 检测 | / | 应用于半导体掩模版Contact层 的AOI检查优化项目 | 该技术成果已成功应用于产品量产中，已开发出智能化灰度 自适应检测系统，并形成多层级灰度成像与缺陷自动判读专 有技术。已形成一项发明专利《掩模板检测方法、装置、设 备以及存储介质》，专利号：202410960697.0 | / |
| 15 | 掩模版黑缺 陷修补方法 研究 | 检测环节缺陷修 - 补 | / | 应用于150nm工艺节点半导体 模掩模版的 检测和去除 Particle 技术研究项目，180nm节点以上 制程用掩模版缺陷修复项目 | 该技术成果已成功应用于产品量产中，专利技术及专有技术 相结合，已形成一项发明专利《掩模板缺陷处理装置、方法 以及终端设备》，专利号：ZL202310387421.3； 已形成专有技术《大尺寸黑缺陷快速修复方法》 | / |
